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0.18微米中低压BCD公共工艺平台研发及大规模量产

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登记号:G20172323

所属行业:科学研究和技术服务业

学科分类:数据处理;

关键词: 电源管理芯片 BCD技术

绿色分类:其它;

  • 基本信息
成果名称: 0.18微米中低压BCD公共工艺平台研发及大规模量产
成果登记号: G20172323 学科分类: 数据处理;
绿色分类: 其它; 项目关键词: 电源管理芯片  BCD技术      
推荐单位:

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

成果所处阶段:
合作方式: 成果所属行业: 科学研究和技术服务业
国家/地区: 上海 知识产权: 发明专利,实用新型专利,其他
简介: 点击查看
近年BCD (Bipolar CMOS DMOS) 技术发展迅速,是电源管理、显示驱动、汽车电子等IC 制造 工艺的优选。BCD 工艺与数字逻辑工艺不同, BCD工艺并像逻辑工艺追求线宽极致微缩,更关注开 发多种高压功率器件性能优化,满足不同应用场景的使用,在目前市场应用中BCD 还主要集中在 0.8 微米/0.6 微米/0.35 微米。0.18 微米BCD 技术在成本和性能考量,必然成为未来数年内 的BCD 主流先进平台技术,在实践中也确实得到越来越多客户的青睐,除了被国内外高端客 户陆续采用,不少原本在0.6 微米/0.35 微米的BCD 客户也开始向0.18 微米节点转入,可以 预见0.18 微米BCD 在未来几年会有长足的发展。 件性能的专属特殊工艺,对于大电流应用,提供过大电流能力超厚金属, 增加EPI 模块的选择(提供外延和非外延工艺平台选择),模块化的设计,为应用提供更灵 活的选择空间, 同时0.18 微米BCD 技术可以好的支持高集成度电源产品对逻辑IP 的需求。 本平台特色:0.18 微米平台,低压1.8V/5-6V CMOS, 中压10V/16V/20V/30V/40V LDMOS,LDMOS 可支持三类结构(漏端隔离,源端隔离,器件整体对地隔离),多样化的集成无 源器件(高阻电阻,肖特基,齐纳管)可供选择,丰富的IP 支持(OTP,SRAM, e-fuse,standard cell,etc),对于为大电流高端应用,提供模块化的EPI 制程段供选择。 在知识产权方面:本项目授权发明专利11 项,还在申请过程中的~40 项。 社会效益产业化成果:产业化应用更好的支持国内外设计公司,模块化的设计给不同应 用提供更多便捷的选择,提高了电源管理芯片设计到应用的周期,提升了国内外设计公司高 端电源管理芯片的产品性能和可靠性,从而有效的提升半导体产业链整体发展。 经济效益成果:在本项目研发的IP 成果基础上,自2012 年以来,已成功支持了大批量 的相关芯片产品的生产。服务的主要国内外IC 设计公司包括高通、海思、展讯等龙头IC 设 计公司。为中芯国际新增产值超过65 亿元,创收外汇7.8 亿美元。
姓名: 陆琳 性别:
出生日期: 职务:
国籍(地区): 联系地址:
电子邮件: Irene_Lu@smics.com
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