集成电路产业是我国综合国力的最重要标志之一和优先发展产业，中国大陆2013年集成电路进口额为2,322亿美元，自制率不到20%，且超过石油进口额。中芯国际作为中国第一、全球第四的集成电路制造龙头企业，集中优势开发了先进产业化平台技术；该技术成果面向芯片设计行业最迫切需要的移动通讯和数字媒体应用芯片，形成了多项国内首创、国际先进的集成电路制造知识产权，被多家移动通讯和数字媒体芯片龙头设计企业采用和实现产业化，打破了国际垄断，填补了多项国内空白，提升了我国芯片设计-制造集成电路产业链整体水平，维护了国家战略通讯芯片领域的安全。 同时，本项目在移动智能终端和数字媒体核心芯片的纳米级半导体器件模型、基础集成电路子电路IP模块定制、多核超高速应用处理器速度优化等方面攻克了多项技术难关并形成了以下多项自主创新： 1.国际先进、国内首创的核心芯片的版图设计仿真模型技术 通过逻辑器件建模，射频电路器件建模，工艺寄生参数抽取，可制造性设计及设计套件和EDA工具的整合，提升优化器件性能及器件模型，自主研发了完整的55/40纳米移动智能终端核心芯片的纳米级半导体器件模型。 2.国际先进、国内首创的先进集成电路子电路模块 独立自主研发了超高速性能CPU处理器增强套件（PEK）和紧凑型输入输出单元(Compact I/O)，能有效提升芯片性能和降低芯片面积，已经被芯片设计企业广泛采用，进一步帮助芯片设计企业增强了国产移动智能终端芯片在全球范围的核心竞争力。 3. 业内领先的用于移动智能终端的四核处理器架构（联芯科技）采用中芯国际制造技术，具备强大的应用处理能力，芯片性能国内领先，是首颗采用40纳米国产先进技术的四核移动智能终端芯片，处理器主频达到1.2GHz+。 4. 国际领先、国际首创的6合一高速多标准DDR系列接口集成电路子电路模块（芯动科技） 自主创新的DDR多标准通用传输和接收架构和实现方法，兼容了全球最多的6种DDR技术，在国际首创了同时支持DDR1/DDR2/DDR3/LPDDR/LPDDR2/LPDDR3物理接口的多标准路线，从IO到架构和DLL/PLL技术上全面自适应，第一次让用户使用一个集成电路子电路模块能支持市场的各种DDR内存。 在知识产权方面：本项目授权发明专利33项；发表论文13篇。 社会效益产业化成果：技术成果更好的支持国内芯片设计行业参与移动通讯芯片市场的全球竞争，有效降低国内设计厂商的芯片开发成本，扩张在关键先进工艺上的芯片开发空间，使得我国关键战略通讯芯片的生产又一次回到中国，从而有效的提升了信息安全、供应链安全和芯片生产的自主可控，立足长远地促进国内半导体产业链向最高端整体发展。 经济效益成果：在本项目研发的先进产业化平台技术成果基础上，自2012年以来，已成功实现了相关芯片产品的大批量生产。国内龙头芯片设计公司海思、展讯、联芯科技、瑞芯微电子、芯动科技已累计超过12个用于移动智能终端等产品进行产业化的晶圆生产。中芯国际因此新增产值超过 22亿元人民币，新增税收约3.4亿元人民币。