本项目"采用浮栅技术的90纳米 ETOX NOR型快闪记忆体的研究和产品开发"开始于2008年，项目总投资2058万。ETOX 技术是NOR 型闪存存储器中应用最主流的技术，大约70％的闪存采用的都是这种技术。NOR型闪存是最早出现的闪存存储器，具有可靠性高、随机读取速度快的优势。其架构的特色在于能提供高速的数据读取性能，因此被视为是存储指令的最佳选择。不仅如此，它还具有SRAM接口，也提供足够的地址接脚来进行寻址，并可以在其内部直接执行程序代码。随着各类消费性电子数码产品，如智能手机、平板电脑等成为市场上的主流产品，闪存（Flash）的地位也跟着水涨船高。在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如电脑的BIOS 固件、手机、硬盘驱动器的控制存储器等。2008年，90nm技术是国际快闪存储器生产的主流技术,主要由国外知名的NOR 闪存供应商Spansion（飞索半导体）、Intel（英特尔）、ST（意法半导体）等垄断。本项目的90nm ETOX 快闪记忆体是中国内地第一个采用90nm制造工艺的闪存存储器，除了中芯国际之外，当时国内尚没有一家公司进行该技术的研发。此项技术的成功开发和量产，将中国自主研发的闪存制造技术提升至90nm, 推动了产业链上下游的设计业及封装测试业的技术发展，填补了国内在该技术领域的空白，打破了由国外垄断技术的局面。本项目于2010年5月完成研发，在器件工艺、模型与数值仿真数据库等方面进行了技术创新和提升，突破的关键技术有：１、在器件工艺方面，通过工艺优化，研究开发了一种浅沟道隔离结构的制造方法，提高了产品的良率和可靠性。  ２、开发硬掩膜工艺来弥补ArF光刻胶过薄对蚀刻的影响，有效地改善了控制器件关键尺寸的控制及均匀度，提升了产品良率和产品可靠性。３、成功建立了整套模型与数值仿真数据库，加速后续客户器件调试的的完成。为新客户的快速验证设计电路，器件微调整提供了便利快捷的服务。４、有效改善器件(H/LV MOS, Resistor等)的不匹配。在保持低压管高性能，低损耗的基础上，还开发出足够高电压的高压管。５、在产品可靠性方面，该工艺达到了擦写10万次，数据保存十年的行业标准并顺利通过了客户的产品测试。截止目前，本项目共提交13项发明专利，其中6项已获得发明专利；其余7项正在受理中（1项为美国专利）。截至2012年12月， 该项目累计新增产值13134万元,实现利润2100万元, 产品销往北美，东亚和国内市场，品种达57个以上。本项目的产品主要应用于各类消费电子，如数字电视/智能电视、机顶盒、DVD、网络设备、PC及笔记本电脑、服务器、移动设备、手机、移动网络设备等。