一、项目需求背景和技术难题挑战当下移动互联网和物联网迅猛发展，预计到2020年，相关的集成电路市场规模有望达到5600亿元，其终端设备保护面临越来越苛刻的要求和技术性挑战：（1）终端设备的工作电压越来越低，要求保护器件具有更低的钳位电压；（2）终端设备集成度越来越高，要求保护芯片具有更高的集成度；（3）高速传输端口不仅需要泄放正向浪涌还需要泄放反向浪涌，要求设计双向保护器件；（4）移动设备小型化和便携化的发展趋势要求保护器件尺寸更小、性能更高，需要创新型的版图设计来缩小芯片面积。二、技术创新内容（1）采用新颖的降低通道阻抗技术解决器件钳位电压问题；创新点：通过增加高浓工艺层次，形成低阻通道，降低钳位电压，产品经上海权威机构查新，结论为具有创新性，达到国际先进水平。创新效果：产品具有低导通电阻，相比传统器件降低25%，如IPP为26A时，残压从21V下降至 16V。（2）采用低压片式集成技术实现多路保护；创新点：采用纵向结构，利用埋层和衬底形成TVS，利用高阻外延形成降容管，采用深槽隔离技术形成有效隔断。创新效果：实现IPP为25A、电容2.5pF的阵列器件时，面积缩小20%，成本下降20%，有效保护电 源和多路IO端口。（3）采用可控硅泄放电流技术，开发具有低电容特性的双向保护器件；创新点：通过引入CMOS工艺中寄生的可控硅结构，使器件在受到ESD和浪涌冲击时在IO-GND 之间形成电流通路，迅速释放电流。创新效果：电容可低至为1.5pF，SOD323封装IPP能力达20A,比传统器件能力提升32%，解决了抗 正、负向浪涌的问题。（4）采用创新版图设计更高性能的产品创新点：精确设计开关管和TVS面积，合理设计版图结构，优化插指形状和间距，使各方向受电应力均匀，提高器件浪涌能力。创新效果：产品具有大浪涌和低电容特性，满足各类应用要求，参数为1pF/10A的产品，通过插 指版图设计，性能可提升50%。三、应用推广情况公司致力于开发自主知识产权的高性能新型半导体器件，成功研制出应用于移动互联设备的高速 低残压系列产品及解决方案，申请专利9项，其中授权4项发明专利、4项实用新型专利和4项集成电路 布图登记，该项目2015年6月被认定为上海市高新技术成果转化项目，并形成产业规模，主要应用于 移动互联设备的充电端口、RF天线端口、SIM卡数据端口等关键端口，具有超大功率、超低残压、超 低电容和高集成度等优点，目前已经给三星、中兴通讯、海康威视等一线客户量产供货。从2014年至 今出货超过10亿只,新增产值1.21亿元，打破了ST、Semtech等欧美公司技术垄断，推动国内半导体保护器件产业的技术发展，提升了上海市产业聚集能力。